半导体器件及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202011432877.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112582476B | 公开（公告）日 | 2022-05-06 |
| 申请公布号 | CN112582476B | 申请公布日 | 2022-05-06 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/417（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 全芯智造技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 武振华;张振军 |
| 地址 | 230088安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期J2C栋13楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体器件及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的表面形成栅极结构；形成第一介质层，所述第一介质层位于所述栅极结构的两侧，且所述第一介质层的顶部表面低于所述栅极结构的顶部表面；形成第二介质层，所述第二介质层位于所述第一介质层的表面以及位于所述栅极结构的顶部两侧，且所述第二介质层的宽度小于所述第一介质层的宽度；去除所述第一介质层，以暴露出所述第二介质层下方的栅极结构的侧壁表面；形成源漏外延区，所述源漏外延区位于所述第二介质层的两侧以及所述第二介质层下方的栅极结构的两侧。本发明可以有效降低工艺复杂度和生产成本，提高生产稳定性和器件性能。 |
