一种硅或其氧化物原位长碳纳米管的方法
基本信息
| 申请号 | CN201910278986.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111799448A | 公开（公告）日 | 2020-10-20 |
| 申请公布号 | CN111799448A | 申请公布日 | 2020-10-20 |
| 分类号 | H01M4/36(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 谢宝东;徐壮;周叶;毛鸥;郑涛;张美杰 | 申请（专利权）人 | 江苏天奈科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京维正专利代理有限公司 | 代理人 | 江苏天奈科技股份有限公司 |
| 地址 | 212000江苏省镇江市新区青龙山路113号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种硅或其氧化物原位长碳纳米管的方法，包括以下步骤：（1）将金属盐催化剂溶于溶剂中得到混合溶液；（2）在混合溶液中加入硅或硅的氧化物或其混合物混合均匀；（3）将步骤（2）制备好的溶液进行喷雾干燥，使催化剂金属均匀地包覆在硅或硅的氧化物表面；（4）在惰性气体气氛下煅烧步骤（3）得到的产物，煅烧温度为400‑1200℃；（5）采用化学气相沉积法在硅或硅的氧化物表面原位长出碳纳米管，得到的硅及其氧化物上长的碳纳米管长径比大，电循环性能优异。 |
