一种半导体陶瓷材料制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011615200.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114685162A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114685162A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | C04B35/468（2006.01）I;C04B35/622（2006.01）I;C04B41/83（2006.01）I | 分类 | 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕; |
| 发明人 | 杨创华 | 申请（专利权）人 | 陕西理工大学 |
| 代理机构 | 北京神州信德知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 723000陕西省汉中市汉台区东一环路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体陶瓷材料制备方法，原材料包括钛酸钡、三氧化二钒、三氧化二铬、碳化硼粉、石墨烯材料、氧化钇粉、二氧化锆、防老剂和聚烯烃，钛酸钡、三氧化二钒、三氧化二铬、碳化硼粉、氧化钇粉、石墨烯材料、二氧化锆的比例为：70:10:2:10:2:3:3；本发明一种半导体陶瓷材料制备方法通过碳化硼粉进行保证高温稳定性，保证半导体材料的使用，通过三氧化二钒和三氧化二铬进行保证温度的检测，保证检测速度，通过石墨烯材料进行导热，保证温度的快速检测，通过聚烯烃进行保护半导体材料，防止出现摔坏的情况，通过二氧化锆进行保证使用，防止出现高温膨胀的情况，通过防老剂进行保证本半导体陶瓷的外表颜色，保证美观性。 |
