一种半导体的连接不良检测装置

基本信息

申请号 CN202110217948.2 申请日 -
公开(公告)号 CN112858868A 公开(公告)日 2021-05-28
申请公布号 CN112858868A 申请公布日 2021-05-28
分类号 G01R31/26(2014.01)I;G01R31/66(2020.01)I 分类 -
发明人 黄澄珵;黄新生 申请(专利权)人 艾极倍特(上海)半导体设备有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 201400上海市奉贤区南桥镇八字桥路1919号2幢8层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明一种半导体的连接不良检测装置,通过引线键合机、半导体的连接不良检测装置、超声波振荡器、A/D转换器、数字信号处理装置、数据存储装置、确定装置、焊接机控制装置等部件之间的相互配合,与现有技术相比,即使使用相同的半导体元件,电压和电流的有效值也会随着时间的流逝而变化,这是由于焊接机尖端的工具磨损和温度升高而引起的,但是使用常规平均值的设备可以应对这种波动,进而使得其判定标准不是恒定的,提高了测量的精准性。