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一种氧化镓单晶闪烁体的制备方法

基本信息

申请号	CN201710311112.2	申请日	-
公开（公告）号	CN107177885B	公开（公告）日	2019-10-18
申请公布号	CN107177885B	申请公布日	2019-10-18
分类号	C30B29/16;C30B15/14;C30B15/10	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	唐慧丽;刘波;徐军;罗平;何诺天;李秋;郭超	申请（专利权）人	江苏利泷半导体科技有限公司
代理机构	上海科盛知识产权代理有限公司	代理人	同济大学
地址	200092 上海市杨浦区四平路1239号
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种氧化镓单晶闪烁体的制备方法，其为中高压导模法，具体包括以下步骤：(1)取β‑Ga2O3粉末等静压压制成型，烧结，再放入导模炉铂铑合金坩埚内，同时，取β‑Ga2O3籽晶放入籽晶夹具内；(2)导模炉内抽真空后，通入高纯空气至7～12bar，缓慢感应加热铂铑合金发热装置至原料完全熔化，恒温；(3)继续升温，下降籽晶并进行烤籽晶，然后将籽晶充分接触模具刃口处熔体，依次开始高温引晶、缩颈、放肩生长、等径生长；(4)晶体生长结束后，脱模，冷却，即得到目的产物氧化镓单晶闪烁体。与现有技术相比，本发明消除了氧化镓晶体中的多晶、挛晶、开裂、氧空位缺陷，有效抑制了慢衰减成分的发光，能够获得高光输出、快衰减氧化镓单晶闪烁体等。