一种FLASH存储器编程电路及其电压控制方法
基本信息
| 申请号 | CN201510850658.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106816174B | 公开（公告）日 | 2021-04-09 |
| 申请公布号 | CN106816174B | 申请公布日 | 2021-04-09 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 马继荣;张云翔;张玉;唐明 | 申请（专利权）人 | 紫光同芯微电子有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 100083北京市海淀区五道口王庄路1号同方科技广场D座西楼18层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种FLASH存储器编程电路及其电压控制方法；该FLASH存储器为SST型，编程电路包括一级译码电路、二级译码选通电路、选通开关电路、SLBIAS电压控制电路、钳位电路和下拉电路；当FLASH存储器处于编程状态时，若存储单元没有沟道漏电，未被选中的SL电压为浮空状态；若存储单元有沟道漏电，未被选中的SL电压被钳位电路钳位，SL电压被限制到MOS晶体管阈值电压附近，通过衬偏作用抑制存储单元沟道漏电增大，有效防止未被选中的SL上的漏电发生；同时，该编程电路电压控制方法实现简单，能有效降低芯片功耗，并较少芯片面积。 |
