一种以柯恩达效应为原理的GaN防气体冲击装置
基本信息
| 申请号 | CN201910723308.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110351953B | 公开（公告）日 | 2019-10-18 |
| 申请公布号 | CN110351953B | 申请公布日 | 2019-10-18 |
| 分类号 | H05K3/00(2006.01)I;H05K3/22(2006.01)I | 分类 | 其他类目不包含的电技术; |
| 发明人 | 赵真利 | 申请（专利权）人 | 乐清旭耀科技有限公司 |
| 代理机构 | 佛山市智汇聚晨专利代理有限公司 | 代理人 | 曹丽敏 |
| 地址 | 325600浙江省温州市乐清市乐成街道康东路瑞祥大厦1幢601室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种以柯恩达效应为原理的GaN防气体冲击装置，包括固定板，所述固定板的上表面固定安装有两个相对称的固定架，两个相对称的固定架之间活动安装有转筒，转筒的外表面开设有风槽，所述转筒的两端均固定安装有卡块。通过转筒、风槽、卡块、连接块与转轴的配合使用，可以有效的将激光在剥离GaN的过程中，利用柯恩达效应原理，将气流都分散到转筒的表面，保证了激光剥离工艺过程中产生的气体不会直接冲击GaN薄膜，对GaN薄膜具有一定的保护作用，同时，由于气流被分散到转筒的外表面，可以有效的保证由激光剥离工艺过程中产生的高温，给予降温，保证了GaN薄膜的使用寿命。 |
