一种SRAM单元
基本信息
| 申请号 | CN201220309819.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN202677856U | 公开（公告）日 | 2013-01-16 |
| 申请公布号 | CN202677856U | 申请公布日 | 2013-01-16 |
| 分类号 | G11C11/413(2006.01)I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 张震 | 申请（专利权）人 | 南京申新智能科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 215513 江苏省苏州市常熟市经济技术开发区科创园研究院路5号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提出一种全新的6管SRAM单元结构，此结构采用读写分开技术，从而很大程度上解决了噪声容限的问题，并且此结构在数据保持状态下，采用漏电流以及正反馈保持数据，从而不需要数据的刷新来维持数据。仿真显示了正确的读写功能，并且读写速度和6管基本相同，但是比普通6管SRAM单元读写功耗显著降低。本实用新型能够有效的提高静态噪声容限从而增强了存储单元的稳定性，并且极大的降低整体的功耗。 |
