一种半绝缘GaN薄膜及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201610496530.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107546260A | 公开（公告）日 | 2018-01-05 |
| 申请公布号 | CN107546260A | 申请公布日 | 2018-01-05 |
| 分类号 | H01L29/20(2006.01)I;H01L29/207(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈振 | 申请（专利权）人 | 江西省昌大光电科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 330096 江西省南昌市高新区艾溪北路699号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种半绝缘GaN薄膜及其制备方法，其中，在该半绝缘GaN薄膜中从下至上依次包括衬底、缓冲层、GaN模板层以及GaN薄膜层，其中，所述GaN薄膜层为掺杂有碳和铁的半绝缘GaN薄膜层。该半绝缘GaN薄膜品质高、纯度高，杂质的记忆效应小，绝缘性能好，能有效的减少器件的漏电流。 |
