半绝缘GaN薄膜及高电子迁移率晶体管外延结构
基本信息
| 申请号 | CN201610497006.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107546261A | 公开（公告）日 | 2018-01-05 |
| 申请公布号 | CN107546261A | 申请公布日 | 2018-01-05 |
| 分类号 | H01L29/20(2006.01)I;H01L29/207(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 周名兵;陈振 | 申请（专利权）人 | 江西省昌大光电科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 330096 江西省南昌市高新区艾溪北路699号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种半绝缘GaN薄膜及高电子迁移率晶体管外延结构，其中，该半绝缘GaN薄膜为碳和铁掺杂的半绝缘GaN薄膜层，其中，碳的掺杂浓度范围为1×1016cm‑3～1×1020cm‑3；铁的掺杂浓度范围为1×1016cm‑3～1×1020cm‑3。本发明操作方法简单、成本低、工作效率高，通过该方法制备的半绝缘GaN品质高、纯度高，对杂质的记忆效应小，绝缘性能好，并能有效的减少漏电流。 |
