一种GaN基电子器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201610497031.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107546207A | 公开（公告）日 | 2018-01-05 |
| 申请公布号 | CN107546207A | 申请公布日 | 2018-01-05 |
| 分类号 | H01L23/495(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈振 | 申请（专利权）人 | 江西省昌大光电科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 330096 江西省南昌市高新区艾溪北路699号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种GaN基电子器件及其制备方法，在该GaN基电子器件从下到上依次为：衬底层、缓冲层、模板层、沟道层、势垒层、栅漏源金属层、邦定层以及用于封装电子器件的封装体。本发明提供的GaN基电子器件中芯片和封装体中的金属焊盘之间通过散热性好的金属(邦定层)直接连接，散热性更好；同时器件有源区主要靠近上表面，这样，芯片上表面和封装体直接相连使得芯片工作时产生的热量可以被快速传递，从而大大提高了电子器件的散热性能，同时大大提高了电子器件的工作效率、稳定性、可靠性和寿命。 |
