一种具有高择优取向的铜晶体颗粒及其制备方法

基本信息

申请号 CN201611037367.6 申请日 -
公开(公告)号 CN106757191B 公开(公告)日 2019-10-01
申请公布号 CN106757191B 申请公布日 2019-10-01
分类号 C25D3/38;C30B28/04;C30B29/02 分类 电解或电泳工艺;其所用设备〔4〕;
发明人 张芸;王靖;朱自方;马涛;陈路明 申请(专利权)人 苏州昕皓新材料科技有限公司
代理机构 上海申新律师事务所 代理人 苏州昕皓新材料科技有限公司
地址 215000 江苏省苏州市吴江经济技术开发区长安路东侧(科技创业园)
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种具有高择优取向的铜晶体颗粒及其制备方法,其铜晶体颗粒为柱状晶粒,并呈现垂直于衬底方向的择优取向,该微观结构通过直流电镀来制备,所需要的电镀溶液包括基础溶液和镀铜添加剂两部分。本发明采用了普通的直流电镀,不需要脉冲电镀,能在较高的电流密度下制备,同时实现择优取向程度的可控,本发明降低了设备成本,可以选用常规的电镀设备,并可以获得优异的微观结构,从而大幅度降低生产成本。