制备具有择优取向生长结构的电镀铜层的方法及其应用
基本信息
| 申请号 | CN201611037366.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106521573B | 公开（公告）日 | 2019-10-01 |
| 申请公布号 | CN106521573B | 申请公布日 | 2019-10-01 |
| 分类号 | C25D3/38;C25D7/12 | 分类 | 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕; |
| 发明人 | 张芸;朱自方;马涛;陈路明;王靖 | 申请（专利权）人 | 苏州昕皓新材料科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海申新律师事务所 | 代理人 | 苏州昕皓新材料科技有限公司 |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市吴江经济技术开发区长安路东侧(科技创业园) | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种制备具有择优取向生长结构的电镀铜层的方法，属于半导体晶圆级封装领域。本发明的具有择优取向生长结构的铜层包括晶圆基底、粘附层、铜籽晶层和电镀铜层，所述电镀铜层具有Z轴择优取向生长结构。本发明利用传统的直流电镀技术采用非染料系整平剂在晶圆基底上制备具有Z轴择优取向生长结构的电镀铜层，所述电镀铜层在X轴和Z轴方向上的腐蚀反应速率不同，硬度不同，拉伸强度不同。 |
