一种用于提升单晶生长速度的装置及方法
基本信息
| 申请号 | CN202110916238.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113481591A | 公开（公告）日 | 2021-10-08 |
| 申请公布号 | CN113481591A | 申请公布日 | 2021-10-08 |
| 分类号 | C30B15/00（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 兰志勇;王军磊;王艺澄 | 申请（专利权）人 | 江苏美科太阳能科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 南京利丰知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 周琪 |
| 地址 | 014010内蒙古自治区包头市昆都仑区金属深加工园区拓业路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种用于提升单晶生长速度的装置，包括坩埚本体（1）、硅溶液（2）、导流筒（3）、水冷热屏（4）和单晶硅棒（5），水冷热屏（4）的主体内部设有循环管路（4a），循环管路（4a）的进口与进水管路（6）相连、出口与出水管路（7）相连；水冷热屏（4）的内表面设为散热面（4b），散热面（4b）上连接一组散热片（8），散热片（8）的宽度由上至下逐渐减小，散热片（8）的外侧（8a）与散热面（4b）相连、内侧（8b）正对着单晶硅棒（5）设置，且每个散热片（8）的内侧（8b）到单晶硅棒（5）的最短距离相同。本发明的优点是提高水冷热屏的散热效果，增强单晶硅棒生长速度，提升生产产量，节约成本。 |
