一种ZnO量子点掺杂的SiO2下转换减反射膜及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011189254.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112768533A | 公开（公告）日 | 2021-05-07 |
| 申请公布号 | CN112768533A | 申请公布日 | 2021-05-07 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0288(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0264(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄建勇;费广涛;许少辉;张敏;倪志龙;王彪 | 申请（专利权）人 | 上海西源新能源技术有限公司 |
| 代理机构 | 合肥和瑞知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 魏玉娇 |
| 地址 | 201417上海市奉贤区奉贤化工区苍工路1288号第10栋4、5楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种ZnO量子点掺杂的SiO2下转换减反射膜及其制备方法。所述制备方法包括制备ZnO量子点、制备酸性SiO2溶胶、掺入ZnO量子点、提拉镀膜、高温退火。本发明将ZnO量子点离心、清洗可以去除残余的离子和未反应的杂质，然后在不烘干的情况下掺杂在酸性SiO2溶胶中，可以得到均匀分散的溶胶，通过提拉镀膜制备出下转化减反射膜，该薄膜既具有减反功能，又可以将紫外光转化为可见光，且量子点退火未出现荧光淬灭。本发明的制备方法操作简单且工艺成熟，成本更低，ZnO发射波长可调，可以通过控制ZnO量子点的粒径改变发射峰的位置。有望通过光催化减少表面污渍，应用到光伏系统，农业薄膜领域。 |
