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一种硅基ZnO量子点减反射膜及其制备方法

基本信息

申请号	CN202110396253.5	申请日	-
公开（公告）号	CN113224177A	公开（公告）日	2021-08-06
申请公布号	CN113224177A	申请公布日	2021-08-06
分类号	H01L31/0216;H01L31/18	分类	基本电气元件;
发明人	黄建勇;费广涛;许少辉	申请（专利权）人	上海西源新能源技术有限公司
代理机构	合肥和瑞知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	魏玉娇
地址	201417 上海市奉贤化工区苍工路1288号第10栋4、5楼
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种硅基ZnO量子点减反射膜及其制备方法，我们用溶胶‑凝胶法制备ZnO量子点，经过离心洗涤之后分散在无水乙醇中，然后通过提拉浸渍镀膜法镀在单晶硅上。这种镀膜的方式具有很大的优势，它具备溶胶‑凝胶法镀膜的优点，而且在单晶硅上镀膜之后的ZnO量子点薄膜无需退火，因为ZnO量子点镀膜液只有ZnO和无水乙醇，没有其他的有机物存在，不需要高温退火除去，而且ZnO量子点的尺寸小，分布于2‑10nm之间，可以减少光的散射。在实验中ZnO量子点的尺寸是可以通过反应时间和温度来调节的，调节ZnO量子点的尺寸可以调节薄膜的折射率的。通过这种方式制备的ZnO减反射膜成本低廉，操作简单，而且ZnO量子点与单晶硅有很好的结合能力，制备出的膜层均匀，减反效果明显。