降低栅极漏电的p-GaN栅增强型GaN-HEMT器件及其制作方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

降低栅极漏电的p-GaN栅增强型GaN-HEMT器件及其制作方法

基本信息

申请号	CN202110622461.2	申请日	-
公开（公告）号	CN113363320A	公开（公告）日	2021-09-07
申请公布号	CN113363320A	申请公布日	2021-09-07
分类号	H01L29/778;H01L29/10;H01L29/06;H01L21/335	分类	基本电气元件;
发明人	施媛媛;张敏;倪志龙;王彪	申请（专利权）人	上海西源新能源技术有限公司
代理机构	北京中济纬天专利代理有限公司	代理人	李蜜
地址	201424 上海市奉贤区苍工路1288号第10幢4、5楼
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种降低栅极漏电的p‑GaN栅增强型GaN‑HEMT器件及其制作方法，其包括从下至上依次排布的衬底、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上设置有由AlN高势垒层、p‑GaN层和栅极组成的栅极结构；位于栅极结构两侧的AlGN势垒层上设置有源极和漏极；栅极与源极、栅极与漏极之间的AlGN势垒层上设置钝化层；栅极金属下方形成p‑GaN/AlN/AlGaN/GaN的p‑i‑n结势垒耗尽栅极下方沟道处二维电子气，使器件在零栅压下处于关断状态。本发明在p‑GaN和AlGaN沟道层之间插入1～2nm的AlN高势垒层，由于该AlN高势垒层具有较低电子亲和势和较高的禁带宽度，从而能够使既能限制沟道电子向p‑GaN层输运，又能抑制p‑GaN层空穴向沟道注入，从而降低正常工作中栅电流，进而能够提高增强型GaN‑HEMT器件的安全可靠性。