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用于高深宽比深孔结构晶圆或薄胶喷涂晶圆的喷嘴装置和喷涂方法

基本信息

申请号 CN202010589829.5 申请日 -
公开（公告）号 CN111804498B 公开（公告）日 2022-05-06
申请公布号 CN111804498B 申请公布日 2022-05-06
分类号 B05B17/06（2006.01）I;B05B15/55（2018.01）I;H01L21/67（2006.01）I;B81C1/00（2006.01）I 分类 一般喷射或雾化；对表面涂覆液体或其他流体的一般方法〔2〕;
发明人 邢栗;陈兴隆;张怀东;童宇波;孙会权 申请（专利权）人 沈阳芯源微电子设备股份有限公司
代理机构 沈阳科苑专利商标代理有限公司 代理人 于晓波
地址 110168辽宁省沈阳市浑南区飞云路16号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种用于高深宽比深孔结构晶圆或薄胶喷涂晶圆的喷嘴装置和喷涂方法，属于集成电路制造晶圆工艺中的喷胶处理技术领域。该喷嘴装置包括液体输送管、雾化装置和除灰化装置，所述液体输送管与所述雾化装置相连接，所述雾化装置与所述除灰化装置相连接；所述雾化装置用于将所述液体输送管输送的喷胶用光刻胶光刻胶或保护隔离层雾化成液滴，并将小尺寸液滴作用于晶圆表面，通过调节雾化装置中电压以及共振频率即可调节喷胶速率，以满足不同工艺需求。该喷嘴针对带有深孔结构的晶圆喷涂光刻胶或保护隔离层，以及需喷涂薄胶（2μm以下）工艺的晶圆同，能够解决常规喷胶方式难以满足工艺需求如高深宽比深孔结构晶圆以及薄胶喷涂晶圆喷涂。