一种以taiko环结构为衬底的超薄型晶圆的涂胶方法
基本信息
申请号 | CN202010529868.6 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN111604236B | 公开(公告)日 | 2022-07-08 |
申请公布号 | CN111604236B | 申请公布日 | 2022-07-08 |
分类号 | B05D1/26(2006.01)I;B05C11/08(2006.01)I;B05C13/02(2006.01)I;B05B15/50(2018.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 分类 | 一般喷射或雾化;对表面涂覆液体或其他流体的一般方法〔2〕; |
发明人 | 李庆斌;朴勇男;邢栗;张晨阳 | 申请(专利权)人 | 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 |
代理机构 | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | - |
地址 | 110168辽宁省沈阳市浑南区飞云路16号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明提供了一种以taiko环结构为衬底的超薄型晶圆的涂胶方法,包括如下步骤:设定预设真空度,在预设真空度下将待涂胶晶圆吸附在承片台上,并控制承片台以第一转速旋转,并通过胶嘴对晶圆中心进行打胶;打胶结束后,承片台以第二转速旋转进行打胶回流,第二转速小于第一转速;承片台先以第三转速旋转,再以第四转速旋转,第三转速小于第四转速,对晶圆进行变速甩胶;控制承片台以第五转速甩胶,完成光刻胶甩胶;再控制承片台以第六转速旋转使光刻胶在晶圆表面成膜,第五转速小于第六转速;承片台以第七转速旋转,并通过清洗喷嘴对晶圆从第一位置到第二位置扫描配合进行切边处理,可提高晶圆表面光刻胶的均匀性,避免光刻胶堆积及液体反溅。 |
