一种氧化钛钝化膜的制备方法及利用该方法制备太阳电池

基本信息

申请号 CN201710771419.0 申请日 -
公开(公告)号 CN107634122A 公开(公告)日 2018-01-26
申请公布号 CN107634122A 申请公布日 2018-01-26
分类号 H01L31/18;H01L31/0216 分类 基本电气元件;
发明人 何坚;叶继春;高平奇;凌曌恒;曾俞衡;闫宝杰;肖剑峰;黄志林;夏金才;周建宏 申请(专利权)人 日地太阳能电力股份有限公司
代理机构 宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙) 代理人 李迎春
地址 315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种氧化钛钝化膜的制备方法,步骤为在预处理后的硅片表面利用电子束沉积法沉积一定厚度的金属钛薄膜,后通入氧气气氛退火,再在氮气气氛中冷却即可。利用电子束沉积法沉积金属钛薄膜然后直接对金属钛薄膜进行氧化形成氧化钛薄膜,相比于ALD/CVD工艺,本发明所需的设备要求低,且操作方式和操作流程更加简单,便于调节金属钛薄膜的厚度、氧化工艺以适应不同的硅片钝化需求,同时该氧化钛钝化膜能够很好地与其他钝化介质层形成叠层从而达到更佳的钝化效果;本发明工艺还适用于热蒸镀法、磁控溅射法沉积金属钛薄膜;能够容易地实现沉积微量活性金属,从而实现对最终氧化钛薄膜的掺杂改性。