一种采用SiO2与rGO多重包覆的硅基负极材料结构
基本信息
| 申请号 | CN202110878659.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113921775A | 公开（公告）日 | 2022-01-11 |
| 申请公布号 | CN113921775A | 申请公布日 | 2022-01-11 |
| 分类号 | H01M4/36（2006.01）I;H01M4/38（2006.01）I;H01M4/48（2010.01）I;H01M4/583（2010.01）I;H01M4/62（2006.01）I;H01M10/0525（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 许健君;王汇龙;孙培育 | 申请（专利权）人 | 江苏杉元科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海十蕙一兰知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘秋兰 |
| 地址 | 213102江苏省常州市常州经济开发区遥观镇戴洛路666号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明的具体实施方式提供了一种采用SiO2与rGO多重包覆的硅基负极材料结构,所述硅基锂电池负极材料结构包括纳米硅粒子、以及依次包覆于所述纳米硅粒子的二氧化硅层、还原氧化石墨烯层和烧结碳层。本发明的采用SiO2与rGO多重包覆的硅基负极材料结构,通过多层包覆后的硅基材料体积效应会得到大大缓解，从而实现硅基材料较高容量下也具有良好的循环稳定性。 |
