一种晶圆背面覆铜的焊接工艺
基本信息
| 申请号 | PCT/CN2019/119752 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | WO2021056778A1 | 公开（公告）日 | 2021-04-01 |
| 申请公布号 | WO2021056778A1 | 申请公布日 | 2021-04-01 |
| 分类号 | H01L21/60 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | ZHANG, RU;张茹;ZANG, TIANCHENG;臧天程;JIANG, WEIBIN;姜维宾;AN, YONG;安勇;JIN, HAO;金浩 | 申请（专利权）人 | 烟台台芯电子科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | BEIJING ZHONGCHUANG BOTEN INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY (GENERAL PARTNERSHIP);北京中创博腾知识产权代理事务所(普通合伙) |
| 地址 | Building 117, Building 3, 32 Zhujiang Road,,Economic and Technological Development Zone,Yantai, Shandong 264006 CN | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种晶圆背面覆铜的焊接工艺，属于晶圆制造技术领域，该工艺步骤如下：S1：打磨；S2：清洗；S3：退火；S4：第二次打磨和清洗：将退火后的铜片（2）重复步骤S1和S2；S5：印刷：对铜片（2）上表面印刷锡膏；S6：焊接：将晶圆（5）放置于印刷完锡膏的铜片（2）上，晶圆（5）背面与铜片（2）接触，晶圆（5）上方放置上基板（1），铜片（2）下方放置下基板（3），形成焊接机构，将焊接结构放置于真空焊接炉进行焊接，焊接温度为290℃，焊接完成后进行冷却；S7：清洗：将焊接上铜片（2）的晶圆（5）使用溴丙烷浸泡，然后进行超声波清洗，然后再用酒精浸泡进行超声波清洗；S8：检测空洞；用以解决现有技术中芯片温升高、芯片封装时易碎裂的技术问题。 |
