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一种IGBT半桥模块结构

基本信息

申请号 CN202121569112.0 申请日 -
公开（公告）号 CN215118895U 公开（公告）日 2021-12-10
申请公布号 CN215118895U 申请公布日 2021-12-10
分类号 H01L23/498（2006.01）I;H01L23/488（2006.01）I;H01L25/18（2006.01）I;H02M1/00（2007.01）I;H01C7/04（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 张茹;戎光荣 申请（专利权）人 烟台台芯电子科技有限公司
代理机构 北京中创博腾知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 王婷婷
地址 264006山东省烟台市经济技术开发区珠江路32号3号楼117
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提供一种IGBT半桥模块结构，其特征在于：包括铜基板以及在铜基板上表面设置的呈上下排列的第一DBC和第二DBC，第一DBC和第二DBC的上表面分别设置有FRD芯片、IGBT芯片以及将各芯片分隔成单独区域的阻焊层，第一DBC的上表面还焊接有热敏电阻NTC，其两侧设置有刻蚀条。本实用新型提供的IGBT半桥模块结构布局简单，电流分布均匀，并可以在同等封装结构中放置更大尺寸的IGBT芯片，进一步提高模块的功率密度，阻焊层和刻蚀条设置均可避免因焊接所引起的位置偏移。