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一种可监测温度的IGBT功率半导体模块结构

基本信息

申请号	CN202022166787.2	申请日	-
公开（公告）号	CN212783425U	公开（公告）日	2021-03-23
申请公布号	CN212783425U	申请公布日	2021-03-23
分类号	H01L25/18(2006.01)I;H01L23/34(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	张玉佩;张茹;安勇	申请（专利权）人	烟台台芯电子科技有限公司
代理机构	北京中创博腾知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	戎德伟
地址	264006山东省烟台市经济技术开发区珠江路32号3号楼117
法律状态	-

摘要

一种可监测温度的IGBT功率半导体模块结构，基板上端中部通过锡膏烧结有主DBC板，主DBC板上通过锡膏烧结有IGBT芯片和FRD芯片，IGBT芯片和FRD芯片之间通过铝线超声键合，主DBC板上端设有功率端子触点；基板上端一侧通过锡膏烧结有第一辅助DBC板，辅助DBC板上端承载有热敏电阻，第一辅助DBC板上端还设有与热敏电阻电连接的温度信号输出触点；基板上端另外一侧通过锡膏烧结有第二辅助DBC板，第二辅助DBC板上端设有信号端子触点；引线端子与温度信号输出触点电连接，信号端子与信号端子触点电连接，功率端子与功率端子触点电连接。本技术方案能够监测IGBT模块芯片的结温，避免芯片温度过高引起的失效。