一种CZ直拉法硅单晶炉副室的清洁装置

基本信息

申请号 CN201720520263.4 申请日 -
公开(公告)号 CN206736403U 公开(公告)日 2017-12-12
申请公布号 CN206736403U 申请公布日 2017-12-12
分类号 C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 马四海;张笑天;马青;朱光开;丁磊 申请(专利权)人 安徽易芯半导体有限公司
代理机构 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 代理人 安徽易芯半导体有限公司
地址 230000 安徽省合肥市新站区新蚌埠路3768号佳海工业城一期D84D85幢
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种CZ直拉法硅单晶炉副室的清洁装置,其特征在于:包括有中空的伸缩套杆,所述伸缩套杆的端部安装有支撑台,所述支撑台的外周边分布有间隔设置的支撑杆,所述支撑杆的端部分别安装有清洁刷头,所述清洁刷头包括有弧形刷头、锥形刷头、平面刷头,所述支撑台的中部安装有与伸缩套杆内孔连通且可转动的中空细杆,所述中空细杆以及伸缩套杆之间贯穿一个细长的软管,所述软管的头部设有多个圆形喷孔。本实用新型针对副室炉体内壁表面结构设计使用3种形状的弹性刷头更好的清理不同表面的氧化物,每一处清理到位,提高了清炉的效率,其操作方便简单,可以节省操作人员的劳动强度,满足了使用要求。