基于单一硅材料的光变防伪薄膜

基本信息

申请号 CN201510427099.8 申请日 -
公开(公告)号 CN105158835B 公开(公告)日 2017-05-03
申请公布号 CN105158835B 申请公布日 2017-05-03
分类号 G02B5/28(2006.01)I 分类 光学;
发明人 卜轶坤;肖丽翔;邓子豪;冯都镇;方凡;傅宇翔;陈楠 申请(专利权)人 厦门闪蝶科技有限公司
代理机构 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 代理人 马应森
地址 361000 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区洪垵路668号之5单元
法律状态 -

摘要

摘要 基于单一硅材料的光变防伪薄膜,涉及光学防伪。所述基于单一硅材料的光变防伪薄膜为全介质高反射膜、硅与介质间隔层组成的反射膜、硅与对称F‑P介质组合膜系组成的反射膜;全介质高反射膜的膜系结构表示为A/(HL)s H/G。硅与介质间隔层组成的反射膜的膜系结构分别为A/(4M2.6L)x100M’/G和A/(4M1.85H)y 100M’/G。硅与对称F‑P介质组合膜系组成的反射膜的膜系结构A/4M0.88L(HL)p(LH)p 0.29L100M’/G。只采用硅作为镀膜材料,制备更加环保,成本更低,且原材料来源广。