一种薄膜体声波谐振器及其制备方法

基本信息

申请号 CN201810863619.3 申请日 -
公开(公告)号 CN109302158A 公开(公告)日 2021-07-16
申请公布号 CN109302158A 申请公布日 2021-07-16
分类号 H03H3/02;H03H9/02;H03H9/17 分类 基本电子电路;
发明人 李国强 申请(专利权)人 河源市众拓光电科技有限公司
代理机构 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 代理人 汤喜友;李悦
地址 517000 广东省河源市高新技术开发区高新五路众拓光电
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器,包括生长衬底、压电薄膜、顶电极和底电极;压电薄膜在生长衬底上外延生长出,压电薄膜的上表面制备得到顶电极,生长衬底上深刻蚀有下引孔,下引孔贯穿成长衬底和压电薄膜;生长衬底的背面刻蚀形成空腔,生长衬底的下表面制备得到底电极。本发明还提供一种薄膜体声波谐振器的制备方法。本发明的薄膜体声波谐振器结构简单,不易塌陷,可以很好的改善压电膜的品质,将成为适用于未来高频、高功率场合下射频滤波器的解决方案。