一种光刻套刻标记及其制备方法
基本信息
申请号 | CN202011500287.6 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN112563246A | 公开(公告)日 | 2021-03-26 |
申请公布号 | CN112563246A | 申请公布日 | 2021-03-26 |
分类号 | H01L23/544(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 李国强 | 申请(专利权)人 | 河源市众拓光电科技有限公司 |
代理机构 | 广州容大知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 刘新年 |
地址 | 517000广东省河源市高新技术开发区高新五路、泥金路西边 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种光刻套刻标记及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤:步骤S1:制作标记点图形,将标记点图形转移至芯片上,露出外延层;步骤S2:刻蚀外延层;步骤S3:蒸镀金属标记点,金属结构为CrAlTiPtAu;CrAlTiPtAu金属结构是从下往上依次为金属Cr层、Al层、Ti层、Pt层、Au层;步骤S4:剥离去胶。本发明提供的方法制备的光刻套刻标记抗磨损能力强、分辨率高、不易被腐蚀,受离子的物理轰击和化学溶液腐蚀的影响极其轻微;同时本发明的金属标记点可以反射光线,使金属标记点更加清楚,提高了对位精准度。 |
