一种垂直结构纳米阵列LED及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201810373123.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108831902B | 公开（公告）日 | 2021-08-31 |
| 申请公布号 | CN108831902B | 申请公布日 | 2021-08-31 |
| 分类号 | H01L27/15 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李国强 | 申请（专利权）人 | 河源市众拓光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州市越秀区哲力专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 郭佳利;郭裕彬 |
| 地址 | 517000 广东省河源市高新技术开发区高新五路众拓光电 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了垂直结构纳米阵列LED，包括在衬底上依次复合的底电极层、第一石墨烯层、伞状GaN纳米柱阵列层、P型GaN薄膜、AlxInyGa1‑x‑yN薄膜、第二石墨烯层和顶电极层；所述第一石墨烯层上复合有图形化隔离层；其中，x＝0‑0.35，y＝0‑0.07；所述伞状GaN纳米柱阵列层自核向壳包括依次复合的GaN纳米柱芯、n型GaN纳米内壳和In(Al)GaN纳米外壳。该垂直结构纳米阵列LED有效解决了外延生长受限的情况，大幅降低生产成本，光效高，性能高。 |
