谐振器封装结构及其制造方法
基本信息
申请号 | CN201911244470.1 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN110855264A | 公开(公告)日 | 2020-02-28 |
申请公布号 | CN110855264A | 申请公布日 | 2020-02-28 |
分类号 | H03H9/15;H03H9/02 | 分类 | 基本电子电路; |
发明人 | 钱盈;唐兆云;王家友;赖志国;杨清华 | 申请(专利权)人 | 北京中科汉天下电子技术有限公司 |
代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 陈红 |
地址 | 100080 北京市海淀区北四环西路9号5层508-A | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种谐振器封装结构,包括位于衬底中的谐振空腔,位于衬底上并覆盖谐振空腔的压电膜,位于衬底上且连接压电膜的焊垫,位于焊垫之上的间隔件,位于间隔件之上的封盖层,其中封盖层和/或间隔件为有机材料,焊垫不含贵金属。依照本发明的谐振器封装结构,采用预制厚度的双层膜取代硅盖板用作间隔件和封盖层,降低了成本,简化了工艺,提高了封装可靠性。 |
