谐振器及其制造方法

基本信息

申请号 CN201910854492.3 申请日 -
公开(公告)号 CN110635776A 公开(公告)日 2019-12-31
申请公布号 CN110635776A 申请公布日 2019-12-31
分类号 H03H3/02(2006.01); H03H9/02(2006.01); H03H9/17(2006.01) 分类 基本电子电路;
发明人 王友良; 唐滨; 王家友; 魏涛; 赖志国; 唐兆云; 杨清华 申请(专利权)人 北京中科汉天下电子技术有限公司
代理机构 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 陈红
地址 100080 北京市海淀区北四环西路9号5层508-A
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种谐振器,包括:第一电极,位于基板上;压电层,位于第一电极上;第二电极,位于压电层上;框架图形,位于第二电极与压电层之间,其中第二电极在框架图形下方具有侧向突出部以围绕在框架图形与压电层之间的空气隙。依照本发明的谐振器,仅采用一次光刻‑蚀刻工艺、利用框架结构作为空气桥的掩模而侧向腐蚀,并利用上电极沉积的侧向填充能力形成有效框架结构,减少了与压电材料接触的工艺步骤,降低了对压电材料的损伤,提高了压电层表面洁净度,并解决了光刻对位偏移对于框架结构的影响。