谐振器及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201910851524.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110635775A | 公开（公告）日 | 2019-12-31 |
| 申请公布号 | CN110635775A | 申请公布日 | 2019-12-31 |
| 分类号 | H03H3/02（2006.01）; H03H9/02（2006.01）; H03H9/17（2006.01） | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 唐滨; 王家友; 王友良; 赖志国; 唐兆云; 杨清华 | 申请（专利权）人 | 北京中科汉天下电子技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 陈红 |
| 地址 | 100080 北京市海淀区北四环西路9号5层508-A | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种谐振器，包括：第一电极，位于基板上；压电层，位于第一电极上；第二电极，位于压电层上；框架，位于第一电极下方或上方和/或第二电极上方或下方，框架的厚度沿垂直方向渐变。依照本发明的谐振器，利用倾斜缓变的框架，以简单的制作工艺高效地提升了FBAR器件的Q值，提高了工艺兼容性和谐振器结构的稳定性。 |
