一种薄膜体声波谐振器结构及其制造方法、滤波器以及双工器
基本信息
| 申请号 | CN201911265618.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111130486A | 公开（公告）日 | 2020-05-08 |
| 申请公布号 | CN111130486A | 申请公布日 | 2020-05-08 |
| 分类号 | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/05;H03H9/10 | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 唐兆云;赖志国;杨清华;王家友;唐滨 | 申请（专利权）人 | 北京中科汉天下电子技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京元合联合知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 李非非 |
| 地址 | 215121 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区15幢301和302室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种薄膜体声波谐振器结构的制造方法，包括：确定待形成的薄膜体声波谐振器之间的连接方式；刻蚀基底形成凹槽并在凹槽内填充牺牲层；形成覆盖基底的叠层结构并对叠层结构进行刻蚀，在每一凹槽上方形成叠层单元以及在待形成的以第一连接方式进行连接的薄膜体声波谐振器所对应的叠层单元之间形成第一连接部；对刻蚀叠层结构所形成的区域进行填充以形成填充结构；在叠层单元上形成第一上电极以及在待形成的以第二连接方式进行连接的薄膜体声波谐振器所对应的第一上电极之间形成第二连接部；刻蚀第一连接部；去除填充结构以及牺牲层。本发明还提供了一种薄膜体声波谐振器结构、滤波器和双工器。本发明有效降低了器件的声波损失。 |
