一种二氯二氢硅除杂方法
基本信息
| 申请号 | CN201510984410.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105480982B | 公开（公告）日 | 2018-03-06 |
| 申请公布号 | CN105480982B | 申请公布日 | 2018-03-06 |
| 分类号 | C01B33/107 | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 汪应军;张小玲;黄娣;赵东京 | 申请（专利权）人 | 湖北晶星科技股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 441300 湖北省随州市经济开发区桥头村 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种二氯二氢硅除杂方法，由以下步骤组成：1）将多晶硅生产系统中的气态的二氯二氢硅通过二氯二氢硅冷凝器0～10℃脱盐水进行冷凝；2）将步骤1）得到的液态二氯二氢硅通过屏蔽泵送至膜分离器内；3）将经过膜分离器处理后的二氯二氢硅送至填料塔，对液态二氯二氢硅进行初提纯，得到气态二氯二氢硅和富含杂质的液态高沸物；4）通过吸附剂吸附除去步骤3）得到的气态二氯二氢硅中的硼、磷、以及金属杂质，将塔中采出的高纯二氯二氢硅经过精密过滤器过滤后进入产品槽，灌装后得到成品。该工艺流程简单，一次投入费用低，二氯二氢硅的纯度能够达到99.999%以上，其中金属杂质≤10PPb，电阻率≥1000Ω·cm。 |
