辐射探测探头及其制备方法、辐射探测芯片
基本信息
| 申请号 | CN201911312863.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110854242A | 公开（公告）日 | 2020-02-28 |
| 申请公布号 | CN110854242A | 申请公布日 | 2020-02-28 |
| 分类号 | H01L31/18;H01L31/0296;H01L31/115;G01T1/15;G01T1/24 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 钟华强 | 申请（专利权）人 | 广州兰泰胜科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 广州兰泰胜辐射防护科技有限公司 |
| 地址 | 510665 广东省广州市天河区科韵路78.90号201房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种辐射探测探头及其制备方法、辐射探测芯片，剂量率小于等于剂量限定值时，通过脉冲模式电路获取辐射探测探头的探测信号，其输出脉冲数与探测信号对应的X/γ光子数相同，通过外部处理器计算得到探测结果；而当剂量率大于剂量限定值，会超过脉冲模式电路计数率上限，此时采用电流模式电路，将测量到的电流转换为电压，通过外部处理器计算探测结果。基于此，在实现辐射探测设备的芯片化的同时，通过脉冲读出模式和电流读出模式协同工作，实现辐射探测芯片对X/γ辐射的宽量程探测。 |
