一种氮化物材料激光剥离后的表面处理方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种氮化物材料激光剥离后的表面处理方法

基本信息

申请号	CN201710384470.6	申请日	-
公开（公告）号	CN107221496B	公开（公告）日	2020-04-24
申请公布号	CN107221496B	申请公布日	2020-04-24
分类号	H01L21/306;H01L33/00	分类	基本电气元件;
发明人	汪青;梁文林;任俊杰;罗家懋;张集发;童玉珍;孙明;张国义	申请（专利权）人	东莞市中镓半导体科技有限公司
代理机构	广州粤高专利商标代理有限公司	代理人	东莞市中镓半导体科技有限公司
地址	523000 广东省东莞市企石镇东平科技工业园
法律状态	-

摘要

一种氮化物材料激光剥离后的表面处理方法，包括以下步骤：通过激光剥离方式制备得到氮化物复合衬底或者氮化物单晶衬底；选择一腔室，往该腔室中填充具有挥发性的腐蚀液体，将氮化物复合衬底或者氮化物单晶衬底放入该腔室中的液面上方，对腔室进行密封处理使该腔室形成密闭的腔室，放置预定时间T，利用腐蚀液体挥发产生的气氛对氮化物复合衬底或者氮化物单晶衬底的激光剥离后的表面进行腐蚀处理；对腔室中的氮化物复合衬底或氮化物单晶衬底进行清洗、吹干，完成对激光剥离表面的气氛腐蚀处理。本发明利用气氛腐蚀方法对剥离后的氮化物表面进行处理，去除剥离表面上残余的金属等杂质，改善剥离表面的成份和粗糙度，提高后期同质外延效果和芯片性能。