n型氮化镓自支撑衬底的制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201911407202.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111128688A | 公开（公告）日 | 2020-05-08 |
| 申请公布号 | CN111128688A | 申请公布日 | 2020-05-08 |
| 分类号 | H01L21/02;H01L21/683 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 卢敬权;何进密;任俊杰 | 申请（专利权）人 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 地址 | 523000 广东省东莞市企石镇科技工业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种n型氮化镓自支撑衬底的制作方法，包括：在蓝宝石衬底上形成氮化镓模板层及非掺杂氮化镓层；剥离蓝宝石衬底，获得非掺杂薄氮化镓自支撑衬底；4)去除非掺杂薄氮化镓自支撑衬底中晶体质量最差的底层部分；在非掺杂薄氮化镓自支撑衬底上外延生长n型氮化镓层，获得n型厚氮化镓自支撑衬底；去除n型厚氮化镓自支撑衬底底部的非掺杂层；对n型厚氮化镓自支撑衬底进行研磨抛光，获得n型氮化镓自支撑衬底。本发明的n型氮化镓自支撑衬底的制作方法，在n型厚氮化镓自支撑衬底具有不同程度翘曲的情况下，可以将n型厚氮化镓自支撑衬底底部的非掺杂层完全去除，得到n型氮化镓自支撑衬底。 |
