引流旋转式基片承载装置及气相外延设备
基本信息
| 申请号 | CN202010566659.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111607784A | 公开（公告）日 | 2020-09-01 |
| 申请公布号 | CN111607784A | 申请公布日 | 2020-09-01 |
| 分类号 | C23C16/458(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 黄业;刘鹏;王健辉;卢敬权 | 申请（专利权）人 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 地址 | 523000广东省东莞市企石镇科技工业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种引流旋转式基片承载装置及气相外延设备，装置包括：气源装置，用于提供气相外延的源气体，源气体的流动方式包括旋转流动；母盘，位于气源下方；转动装置，连接于母盘，以为母盘提供旋转动力；子盘，用于承载基片，子盘通过旋转轴连接于母盘上，子盘边缘具有涡形流道，用于引导旋转流动的源气体在涡形流道内流动，从而带动子盘旋转。本发明利用源气体在子盘表面以涡状线流动方式推动子盘旋转，实现装置的行星式旋转。本发明无需对子盘额外注入气体，因此，既不会有多余的气体破坏基片边缘的气氛，提高外延片的良率，同时也能节省高纯气体流量及相关气体控制元器件，大大降低设备的成本。 |
