氮化镓自支撑衬底的制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201910575283.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112151355A | 公开（公告）日 | 2020-12-29 |
| 申请公布号 | CN112151355A | 申请公布日 | 2020-12-29 |
| 分类号 | H01L21/02;H01L21/683 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 何进密;卢敬权;任俊杰 | 申请（专利权）人 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 地址 | 523000 广东省东莞市企石镇科技工业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种氮化镓自支撑衬底的制作方法，包括步骤：1)在蓝宝石衬底上形成氮化镓模板层；2)第一次外延生长第一氮化镓层；3)使蓝宝石衬底与氮化镓模板层分离，获得薄氮化镓自支撑衬底；4)去除薄氮化镓自支撑衬底中晶体质量最差的底层部分；5)第二次外延生长第二氮化镓层，获得厚氮化镓自支撑衬底；6)对厚自支撑衬底进行抛光，切边及倒角，以获得最终的氮化镓自支撑衬底。本发明在第一次外延后，将晶体质量最差的底层部分去除，并在去除后进行第二次外延，可在第二次外延加厚的过程中有效降低位错密度，从而减少氮化镓自支撑衬底的应力，降低第二次外延加厚过程的裂片率，提升自支撑衬底的整体制作良率。 |
