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氮化镓单晶衬底的制备方法

基本信息

申请号 CN202010437129.4 申请日 -
公开（公告）号 CN111681946A 公开（公告）日 2020-09-18
申请公布号 CN111681946A 申请公布日 2020-09-18
分类号 H01L21/02(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 卢敬权;庄文荣;孙明 申请（专利权）人 东莞市中镓半导体科技有限公司
代理机构 上海光华专利事务所（普通合伙） 代理人 东莞市中镓半导体科技有限公司
地址 523000广东省东莞市企石镇科技工业园
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种氮化镓单晶衬底的制备方法，包括：1)提供一氮化镓模板，包括蓝宝石衬底、缓冲层、第一非掺杂或掺杂氮化镓层、超晶格量子阱层及第二非掺杂或掺杂氮化镓层；2)采用氢化物气相外延方法在氮化镓模板上外延生长第一氮化镓层；3)采用激光剥离方法将氮化镓模板中的蓝宝石衬底剥离，获得薄氮化镓单晶衬底；4)采用氢化物气相外延方法在薄氮化镓单晶衬上外延生长第二氮化镓层，获得厚氮化镓单晶衬底；5)将厚氮化镓单晶衬底进行研磨抛光，获得氮化镓单晶衬底。本发明通过设置超晶格量子阱层，可以有效降低氮化镓单晶衬底与蓝宝石衬底之间的晶格失配，有效降低或避免氮化镓单晶衬底的翘曲，提高器件性能。