基于蓝宝石衬底的HEMT的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011078663.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112216610A | 公开（公告）日 | 2021-01-12 |
| 申请公布号 | CN112216610A | 申请公布日 | 2021-01-12 |
| 分类号 | H01L21/335;H01L21/683;H01L21/50;H01L23/373 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 庄文荣;卢敬权 | 申请（专利权）人 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 地址 | 523000 广东省东莞市企石镇科技工业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种基于蓝宝石衬底的HEMT的制备方法，包括步骤：1)提供蓝宝石衬底，于蓝宝石衬底上外延生长GaN外延层；2)将GaN外延层键合至高导热基底上；3)剥离蓝宝石衬底，以显露GaN外延层的剥离面；4)对剥离面进行抛光处理，获得GaN抛光表面；5)基于GaN抛光表面完成GaN基HEMT结构层的外延生长。本发明采用蓝宝石衬底外延生长GaN，衬底成本较低，且可以有效提高HEMT结构层的晶体质量；本发明可以有效提高HEMT的良率，同时解决了蓝宝石衬底导热不足的缺陷，使得HEMT可以工作于较大功率的条件下。 |
