氮化镓单晶衬底的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010646770.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111769036A | 公开（公告）日 | 2020-10-13 |
| 申请公布号 | CN111769036A | 申请公布日 | 2020-10-13 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 卢敬权;庄文荣;孙明 | 申请（专利权）人 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 地址 | 523000广东省东莞市企石镇科技工业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种氮化镓单晶衬底的制备方法，包括步骤：1)提供一蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上形成氮化镓模板层；2)提供一转移基板及一键合层，键合层具有液态形态与固态形态的转换，采用键合层将转移基板与氮化镓模板层键合；3)剥离氮化镓模板层与蓝宝石衬底；4)将键合层转换为液态形态，并于剥离后的氮化镓模板层上进行外延生长，以获得加厚的氮化镓单晶衬底。本发明通过键合层将转移基板与氮化镓模板层键合，该键合层具有液态形态与固态形态的转换，在外延生成氮化镓单晶过程中，键合层处于液态形态，使氮化镓模板层处于自由态，能够有效释放应力及缓解热失配，解决生产过程引起的应力积累、晶片翘曲的问题。 |
