一种钛管表面种植金刚石微晶的方法

基本信息

申请号 CN201610554633.6 申请日 -
公开(公告)号 CN106011776B 公开(公告)日 2018-09-21
申请公布号 CN106011776B 申请公布日 2018-09-21
分类号 C23C16/02;C23C16/27;C02F1/461 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 潘凡峰 申请(专利权)人 上海开山中夏节能环保科技有限公司
代理机构 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 代理人 上海开山中夏节能科技有限公司
地址 201102 上海市闵行区平阳路258号一层J1177室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种钛管表面种植金刚石微晶的方法。CVD法是制备金刚石电极的通用方法,制备出大面积金刚石电极的关键是基材表面种植均匀的、结合力强的金刚石微晶,成为CVD工艺中的晶种。本发明的方法是利用基材钛与金刚石不同的热膨胀系数,在600~800℃的高温下,用机械研磨法种植金刚石微晶。