一种基于含高浓度硼纳米硅浆的高效电池及制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201911359161.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113035996A | 公开（公告）日 | 2021-06-25 |
| 申请公布号 | CN113035996A | 申请公布日 | 2021-06-25 |
| 分类号 | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0352 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈劲风;银波;范协诚 | 申请（专利权）人 | 新疆硅基新材料创新中心有限公司 |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 罗建民;邓伯英 |
| 地址 | 831500 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市高新技术产业开发区甘泉堡经济技术开发区（工业园）众欣街2249号研发楼六层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种基于含高浓度硼纳米硅浆的高效电池的制作方法，包括：S1，取硅片，清洗制绒，在硅片正面设定SE区域，并在所述SE区域印刷含磷纳米硅浆；S2，在POCl3氛围中进行磷扩散，在SE区域形成磷重摻区域，得到磷硅玻璃；S3，去除磷硅玻璃，进行背面刻蚀，在硅片正面沉积减反膜，在硅片背面沉积钝化膜；S4，在硅片背面的钝化膜上印刷高浓度硼纳米硅浆，再用激光扫描，以实现定域掺硼；S5，在硅片背面印刷铝浆，在硅片正面的所述SE结构上印刷银浆；S6，进行烧结，形成电池。本发明还公开一种采用上述方法制作的高效电池。本发明通过形成SE结构和进行局部定域掺硼，降低烧结温度，从而有效实现电池效率的提升。 |
