一种纳米压印制备硅基OLED微型显示器的方法

基本信息

申请号 CN202110453532.0 申请日 -
公开(公告)号 CN113193157A 公开(公告)日 2021-07-30
申请公布号 CN113193157A 申请公布日 2021-07-30
分类号 H01L51/56;H01L27/32;G03F7/00 分类 基本电气元件;
发明人 茆胜 申请(专利权)人 睿馨(珠海)投资发展有限公司
代理机构 上海洞鉴知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 刘少伟
地址 519000 广东省珠海市横琴新区宝华路6号105室-32897(集中办公区)
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种纳米压印制备硅基OLED微型显示器的方法,包括一下步骤:在所述基底的表面涂膜光刻胶;将具有特定图形结构的纳米压印模板以一定的压力压在所述光刻胶上,经热固化或紫外固化后,所述光刻胶上形成与所述模板图案对应微结构;去除所述基底上的残余的光刻胶,使所述基底上留有与阳极像素图形互补的微结构;在所述基底上通过蒸镀工艺形成阳极层。有益效果是:使用纳米压印技术制备阳极像素阵列,采用预制贴合的方式一次性完成彩色过滤层和玻璃盖片工艺,在硅基OLED产线上彻底取消了设备投入较大的光刻工艺。本发明提出的技术方的制备工艺更加简单、生产成本低廉,能有效提高良品率及产能。