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一种高分辨率AMLOED显示器件及其制备方法

基本信息

申请号	CN202110453502.X	申请日	-
公开（公告）号	CN113193022A	公开（公告）日	2021-07-30
申请公布号	CN113193022A	申请公布日	2021-07-30
分类号	H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56	分类	基本电气元件;
发明人	茆胜	申请（专利权）人	睿馨（珠海）投资发展有限公司
代理机构	上海洞鉴知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘少伟
地址	519000 广东省珠海市横琴新区宝华路6号105室-32897（集中办公区）
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种高分辨率AMLOED显示器件及其制备方法，其中，制备方法，包括以下步骤：在每个像素的子像素区域蒸镀沉积一定厚度的薄膜为金属阳极层；在所述金属阳极层的顶部蒸镀沉积一定厚度的薄膜为有机发光层；所述有机发光层的位置及图形均与之对应的金属阳极层的位置及图形相同；所述蒸镀沉积工艺采用通过高分辨率掩膜版完成的。有益效果是：采用金属阳极层直接图形化，降低了OLED微型显示器件的工艺复杂度，无需再采用光刻或刻蚀工艺引入额外的工艺步骤；保持了金属阳极层表面的高反射状态；同时可以实现OLED微型显示器件在制造过程中，为红、绿、蓝OLED像素定制独立的阳极结构，实现每种颜色的定制化和优化的OLED器件结构，提高发光效。