一种太阳能电池的扩散工艺、制备方法及硅片
基本信息
| 申请号 | CN202110713225.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113437182A | 公开（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申请公布号 | CN113437182A | 申请公布日 | 2021-09-24 |
| 分类号 | H01L31/18（2006.01）I;H01L21/225（2006.01）I;H01L31/0288（2006.01）I;C23C16/34（2006.01）I;C23C16/40（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I;C30B30/00（2006.01）I;C30B31/08（2006.01）I;C30B33/00（2006.01）I;C30B33/02（2006.01）I;C30B33/10（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘泉;陈太昌;祁嘉铭;陈家健;方贵允 | 申请（专利权）人 | 东莞南玻光伏科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市精英专利事务所 | 代理人 | 武志峰 |
| 地址 | 523000广东省东莞市麻涌镇新基村 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种太阳能电池的扩散工艺、制备方法及硅片，该扩散工艺包括：在扩散炉管内，将制绒后的硅片通入携带三氯氧磷的小氮，在第一温度下沉积磷源，并在第二温度下通入氧气和大氮进行高温推进得到PN结；通入携带三氯氧磷的小氮，二次沉积磷源，进而在硅片表面形成含低浓度磷源的磷硅玻璃层；通入大氮对进行吹扫，结束扩散，在硅片表面获得含低浓度磷源的发射极。本发明采用两步通源沉积的方式，使三氯氧磷均在低温环境下沉积，可以使硅片表面浓度充分降低，同时通过控制磷源沉积的大氮、氧气和小氮的气体流量比来保证PN结的均匀性，可以有效提高太阳能电池的转换效率。 |
