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一种减小SE激光损伤的厚氧化层扩散工艺

基本信息

申请号	CN202110015472.4	申请日	-
公开（公告）号	CN112820801A	公开（公告）日	2021-05-18
申请公布号	CN112820801A	申请公布日	2021-05-18
分类号	H01L31/18;H01L31/042	分类	基本电气元件;
发明人	陈太昌;梁杭伟;邢珍帅;吴娟;杨健	申请（专利权）人	东莞南玻光伏科技有限公司
代理机构	深圳市精英专利事务所	代理人	李莹
地址	523000 广东省东莞市麻涌镇新基村
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种减小SE激光损伤的厚氧化层扩散工艺，涉及太阳能电池技术领域。该工艺包括步骤：S1，将制绒后的硅片通入POCl3进行扩散处理，在硅表面得到附磷层；S2，通入800‑1200sccm氧气，在温度770‑790℃，压力90‑110mbar的条件下，使所述附磷层上形成氧化层；S3，提高S2的氧气量，使所述氧化层的厚度达到35‑45nm；S4，通入氮气进行吹扫，结束扩散，在硅片表面获得减小SE激光损伤的厚氧化层。本发明提供的减小SE激光损伤的厚氧化层扩散工艺，通过在硅表面得到附磷层之后，再在硅片附磷层表面形成一层40nm左右的致密性强的氧化层（SiO2），达到减小激光重掺杂对硅片损伤的效果，从而解决了激光烧蚀区域形成死伤层导致电性能参数下降的问题。