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一种硅衬底上外延含Ga氮化物薄膜的叠层掩模方法和外延生长方法

基本信息

申请号 CN201910706402.6 申请日 -
公开（公告）号 CN112309841A 公开（公告）日 2021-02-02
申请公布号 CN112309841A 申请公布日 2021-02-02
分类号 H01L21/205(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 张晓蓉;郑烨琳;冯筱;陈明兰 申请（专利权）人 北京飓芯科技有限公司
代理机构 北京君尚知识产权代理有限公司 代理人 邱晓锋
地址 100190北京市海淀区中关村大街18号B座9层909室320号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种硅衬底上外延含Ga氮化物薄膜的叠层掩模方法和外延生长方法。该叠层掩模方法将三维叠层掩模的底层窗口的宽度变窄，使得所述底层窗口露出的用于成核的硅衬底的横向尺寸接近于含Ga氮化物最初形成的原子岛的尺寸。优选地，所述底层窗口的宽度为10～50nm。本发明减少了Si衬底上外延含Ga氮化物薄膜需要AlN预制层的工艺步骤，从而节省了时间，提高了生产效率，提高了产品良率，降低了生产成本。本发明的高质量材料生长技术在含Ga氮化物产业具有重要的应用价值。