一种基于叠层掩模衬底的衬底剥离方法
基本信息
| 申请号 | CN201910706403.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112301422A | 公开（公告）日 | 2021-02-02 |
| 申请公布号 | CN112301422A | 申请公布日 | 2021-02-02 |
| 分类号 | C30B25/04(2006.01)I; | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 张晓蓉;郑烨琳;冯筱;陈明兰 | 申请（专利权）人 | 北京飓芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京君尚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 邱晓锋 |
| 地址 | 100190北京市海淀区中关村大街18号B座9层909室320号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种基于叠层掩模衬底的衬底剥离方法。该方法包括：1)使用MOCVD技术在三维叠层掩模衬底上生长III族氮化物材料，形成III族氮化物材料薄膜；2)使用HVPE技术在所述连续薄膜上生长III族氮化物材料，形成III族氮化物材料厚膜；3)通过冷却在三维叠层掩模衬底和III族氮化物材料厚膜之间产生应力，从而实现自分离。采用本发明方法，由于与衬底的弱连接性，可以在冷却过程中与衬底自分离，避免了使用激光剥离等昂贵技术，节省了工艺步骤和时间，显著提高了生产良率，提高了产品质量；采用的特制三维叠层掩模衬底能够配合MOCVD生长出高质量的薄膜，进而能够通过HVPE外延出高晶体质量的厚膜。 |
